特許
J-GLOBAL ID:200903046849644977

屈曲性に優れるフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-060707
公開番号(公開出願番号):特開2000-256765
出願日: 1999年03月08日
公開日(公表日): 2000年09月19日
要約:
【要約】【課題】 FPC素材となる銅箔には高い屈曲性が要求され,近年の装置の小型化や高水準化に伴い,この屈曲性への要求はより高度化している。本発明の目的は,従来の圧延銅箔の屈曲性を改善することである【解決手段】 再結晶焼鈍を行った後の圧延面と平行な断面組織において,幅が30μm以上の結晶粒の面積率が80%以上であること,および/または長さが5μmを超える双晶境界の1 mm2の面積あたりの合計長さが20 mm以下であることを特徴とする,優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
請求項(抜粋):
再結晶焼鈍を行った後の圧延面と平行な断面組織において,幅が30μm以上の結晶粒の面積率が80%以上であること,および/または長さが5μmを超える双晶境界の1 mm2の面積あたりの合計長さが20 mm以下であることを特徴とする,優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。【請求項2】請求項1に関わる銅箔が,酸素を100〜500 wt ppm含有するタフピッチ銅から製造され,厚みが5〜50μmであり,圧延面と平行な断面組織において,直径5μm以上の介在物が10個/mm2以下,直径1μm以上5μm未満の介在物が5000個/mm2以下であることを特徴とする,優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。【請求項3】請求項1に関わる銅箔が,酸素濃度が10 wt ppm以下の無酸素銅から製造され,厚みが5〜50μmであり,圧延面と平行な断面組織において,直径5μm以上の介在物が10個/mm2以下,直径1μm以上5μm未満の介在物が5000個/mm2以下であることを特徴とする,優れた屈曲性を有するフレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。【請求項4】タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを,熱間圧延した後,冷間圧延と焼鈍とを繰り返し,最後に冷間圧延で銅箔に仕上げる製造プロセスにおいて,最終の冷間圧延を圧延前の結晶粒径と圧延加工度が図1の斜線で示した領域となる条件下で行い,優れた屈曲性を得ることを特徴とする請求項2および請求項3に関わる圧延銅箔の製造方法。
IPC (6件):
C22C 9/00 ,  C22F 1/08 ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 605 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 694
FI (6件):
C22C 9/00 ,  C22F 1/08 B ,  C22F 1/00 601 ,  C22F 1/00 605 ,  C22F 1/00 661 A ,  C22F 1/00 694 A
引用特許:
出願人引用 (5件)
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