特許
J-GLOBAL ID:200903046884416553
パワーモジュール構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青木 輝夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-034647
公開番号(公開出願番号):特開2009-194212
出願日: 2008年02月15日
公開日(公表日): 2009年08月27日
要約:
【課題】ヒートプレートの外郭線をパワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、ヒートプレートをパワーモジュール基板に接合配設することによって、リードフレーム及びヒートプレートの絶縁距離を必要寸法確保した上で小型化を図ると共に、かかる構成によるヒートプレートに熱応力の集中がかからないようにすると共に、所定の放熱性能を確保可能となるように構成した。【解決手段】ヒートプレート5の外郭線5aをパワーモジュール基板1の外郭線1aの内側に存するように、ヒートプレート5をパワーモジュール基板1の他方の面に接合配設し、且つ、ヒートプレート5の外郭線5aおよびパワーモジュール基板1の外郭線1aとの離間寸法L1を、パワーモジュール基板1の厚さ寸法t1に対して、小さく設定した。【選択図】図1
請求項(抜粋):
セラミック等の絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に一対の導電性部材に挟着接合した状態で実装されるパワー半導体素子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板製のヒートプレートと、前記両導電性部材の一端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ外部に表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記導電性部材の他端部側及び前記ヒートプレートを共に成形樹脂層により封止して構成するパワーモジュール構造であって、
前記ヒートプレートの外郭線を前記パワーモジュール基板の外郭線の内側に存するように、前記ヒートプレートを前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設し、且つ、前記ヒートプレートの外郭線と前記パワーモジュール基板の外郭線との離間寸法を、前記パワーモジュール基板の厚さ寸法に対して、小さく設定したことを特徴とするパワーモジュール構造。
IPC (2件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (5件)
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トランスファモールド型パワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-258400
出願人:株式会社日立製作所
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特開昭61-198658
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-033280
出願人:富士電機株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-260589
出願人:株式会社東芝
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-278903
出願人:三菱電機株式会社
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審査官引用 (4件)
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特開昭61-198658
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-033280
出願人:富士電機株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-260589
出願人:株式会社東芝
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-278903
出願人:三菱電機株式会社
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