特許
J-GLOBAL ID：200903046890701774

GaN単結晶の合成方法

発明者：
塩見 弘

塩見 弘 について

, 
西野 茂弘

西野 茂弘 について

, 
龍見 雅美

龍見 雅美 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について

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西野 茂弘

西野 茂弘 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-180111
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277089
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】 大型で高品質なGaNエピタキシャル膜を高速に成長させる。【解決手段】 窒素原子を含むガス中に2つの温度領域T1、T2を形成するとともに、各領域の温度をT1<T2とする。低温領域T1に固体のGa源8、高温領域T2にGaNの種結晶またはGaN単結晶の基板13をそれぞれ設置する。低温領域T1からGaを蒸発させ、その蒸発させたGaをガス中の窒素成分と反応させてGaN形成ガスを形成し、GaN形成ガスを高温領域T2の種結晶またはGaN単結晶の基板13に到達させてGaN単結晶を合成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒素原子を含むガス中に2つの温度領域T1、T2を形成するとともに、各領域の温度をT1<T2とし、低温領域T1に高純度Ga原料、高温領域T2にGaNの種結晶またはGaN単結晶基板をそれぞれ設置して、前記低温領域T1からGaを蒸発させ、その蒸発したGaを前記ガス中の窒素成分と反応させてGaN形成ガスを形成し、前記GaN形成ガスを前記高温領域T2の種結晶またはGaN単結晶基板に到達させてGaN単結晶を合成することを特徴とするGaN単結晶の合成方法。
IPC (1件)：
C30B 29/38
FI (1件)：
C30B29/38 D
Fターム (11件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EA08 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SA11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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