特許
J-GLOBAL ID：200903046893206618
シンチレーション物質(変種)
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 松山 美奈子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-539423
公開番号（公開出願番号）：特表2007-514631
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
本発明は、シンチレーション物質に関し、これらは、X線、ガンマー線およびアルファ線の記録および測定;固溶体構造の非破壊試験;三次元陽電子発光断層X線撮影;および、X線コンピュータ断層写真撮影ならびに蛍光X線撮影のために、核物理分野、医学分野および石油業界にて利用することができる。ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケートに基づくシンチレーチング物質は、物質の組成が、化学式:CexLu2+2y-xSi1-yO5+y;CexLiq+pLu2-p+2y-x-zAzSi1-yO5+y-p;CexLiq+pLu9.33-x-p-z□0.67AzSi6O26-p(式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり;xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり;yは、0.024f.u.と0.09f.u.との間の値であり;zは、0.05f.u.を上回らない値であり;qは、0.2f.u.を上回らない値であり;pは、0.05f.u.を上回らない値である);CexLi1+q+pLu9-x-p-zAzSi6O26-p(式中、zは、8.9f.u.を上回らない値である)によって表される。達成可能な技術的成果は、高密度;高光収率;低い残光;および、三次元X線断層撮影(PET)用のシンチレーチング素子の製造の間の低い損失パーセンテージを有するシンチレーチング物質である。
請求項（抜粋）：
ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケート系シンチレーション物質において、その物質の組成が、化学式:
CexLu2+2y-xSi1-yO5+y
[式中、xは、1×10-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり;
yは、0.024f.u.と0.09f.u.との間の値である。]
によって表されることを特徴とするシンチレーション物質。
IPC (6件)：
C30B 29/34
, C09K 11/00
, C09K 11/79
, C09K 11/08
, G01T 1/20
, G01T 1/202
C30B29/34 Z
, C09K11/00 E
, C09K11/79
, C09K11/08 A
, G01T1/20 B
, G01T1/202
2G088EE01
, 2G088GG10
, 2G088JJ37
, 4G077AA02
, 4G077BD15
, 4G077CF10
, 4G077EC08
, 4G077HA02
, 4H001CA02
, 4H001CA08
, 4H001CF01
, 4H001XA03
, 4H001XA08
, 4H001XA14
, 4H001XA20
, 4H001XA21
, 4H001XA39
, 4H001XA57
, 4H001XA63
, 4H001XA64
, 4H001XA65
, 4H001XA71
, 4H001YA58
