特許
J-GLOBAL ID：200903046913442763
プラズマプロセス装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115266
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】【課題】 反応ガス導入孔からシャワープレートに形成されたそれぞれのガス供給孔までのコンダクタンスを容易に変更することが可能なプラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】 プラズマを用いた処理を行なう処理室16と、処理室16に面して配置され、処理室16内でプラズマ状態にされる反応ガスを処理室16に供給するための第1および第2のガス導入孔18a〜18fを有するシャワープレート5aと、第1のガス導入孔18a〜18cと接続され、第1のガス導入孔18a〜18cに反応ガスを供給する第1の反応ガス供給路15aと、第2のガス導入孔18d〜18fと接続され、第2のガス導入孔18d〜18fに反応ガスを供給する第2の反応ガス供給路15bとを備える、プラズマプロセス装置。
請求項（抜粋）：
プラズマを用いた処理を行なう処理室と、前記処理室に面して配置され、前記処理室内でプラズマ状態にされる反応ガスを前記処理室に供給するための第1および第2のガス導入孔を有するシャワープレートと、前記第1のガス導入孔と接続され、前記第1のガス導入孔に前記反応ガスを供給する第1の反応ガス供給路と、前記第2のガス導入孔と接続され、前記第2のガス導入孔に前記反応ガスを供給する第2の反応ガス供給路とを備える、プラズマプロセス装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/511
, H05H 1/46 M
4K030EA01
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA01
, 4K030LA15
, 4K030LA18
