特許

J-GLOBAL ID：200903046963566447

基板処理方法及びその装置

発明者： 白川 元 ,  内田 博章 ,  森田 明
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-080369
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288963
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】処理液の劣化度合いに応じて処理時間を調整することにより、処理を適切に施しつつも処理液の交換頻度を低減することができる。【解決手段】基板に対してエッチング処理が施されるが、燐酸の現在までの使用履歴と、使用履歴とエッチングレートの関係を示すデータとに基づいて、現在の燐酸によるエッチングレートを求め、このエッチングレートに応じて、レシピで規定されているエッチング時間を延長して補正エッチング時間を求める。この補正エッチング時間により基板を処理することにより、劣化した燐酸であっても処理を適切に施すことができる。したがって、所定回数または所定枚数処理したというだけで燐酸を交換する必要がなく、従来に比較して液交換回数を低減することができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

処理槽に貯留した処理液に基板を浸漬させて基板に所定の処理を施す基板処理方法において、 処理液の使用履歴と処理レートの関係及び処理液の現在までの使用履歴に基づいて、現在の処理レートを求める第1の過程と、 前記現在の処理レートに応じて予め決められている処理時間を延長した補正処理時間を求める第2の過程と、 前記補正処理時間で基板を処理する第3の過程と、 を順に実施することを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/306 ,  H01L21/304

FI (4件)：

H01L21/306 E ,  H01L21/304 642A ,  H01L21/304 648F ,  H01L21/304 648G

Fターム (8件)：

5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043DD07 ,  5F043DD23 ,  5F043DD30 ,  5F043EE21 ,  5F043EE27 ,  5F043EE40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236332   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平1-309332
  
• ウェハのエッチング処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035222   出願人：シャープ株式会社
• 特開平3-108719