特許

J-GLOBAL ID：200903046968366624

基板メッキ装置

発明者： 本郷 明久 ,  長井 瑞樹 ,  鈴木 憲一 ,  丁野 篤
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254396
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087299
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 陰極と陽極との間の一次電流分布を均一にでき、且つメッキ装置を小型化できる基板メッキ装置を提供すること。【解決手段】 メッキ液を収容したメッキ槽1内にメッキを施す被メッキ基板2と陽極電極3を対向して配置した構成の基板メッキ装置において、被メッキ基板2と陽極電極3との間にイオン交換膜又は多孔質中性隔膜8を配置した。また、陽極電極3は溶解性の陽極電極であり、イオン交換膜又は多孔質中性隔膜8は該溶解性の陽極電極より溶解したイオンのみを透過する陽イオン交換膜とした。

請求項（抜粋）：

メッキ液を収容したメッキ槽内にメッキを施す被メッキ基板と陽極電極を対向して配置した構成の基板メッキ装置において、前記被メッキ基板と陽極電極との間にイオン交換膜又は多孔質中性隔膜を配置し、前記メッキ槽を該イオン交換膜又は多孔質中性隔膜で被メッキ基板側領域と陽極電極側領域とに区分したことを特徴とする基板メッキ装置。

IPC (3件)：

C25D 17/00 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

C25D 17/00 H ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

Fターム (13件)：

4K024AA09 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CB01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB08 ,  4K024CB15 ,  4K024CB21 ,  4K024CB26 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-009493
  
• カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164568   出願人：日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社
• プロセス有機物で電解液から金属を電解的に析出する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-522071   出願人：アトーテヒドイッチュラントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 特開平4-009493
  
• 特開平4-346698
  
• メッキ設備
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-512202   出願人：レアーロナルゲーエムベーハー