特許
J-GLOBAL ID：200903046971672167
多結晶シリコン薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202730
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036041
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 エキシマレーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化してなる多結晶化シリコン薄膜の結晶品質をより一層均一化する。【解決手段】 4インチ角のガラス基板1上のアモルファスシリコン薄膜3に、ビームサイズを150×0.4mmの細長い帯状とされたXeClエキシマレーザビームをエネルギ密度330mJ/cm2以上でビームサイズの幅方向にオーバーラップ率50〜97%(97%の場合、スキャンピッチは0.012mm)程度でスキャン照射する。
請求項（抜粋）：
ビームサイズを細長い帯状とされたレーザビームをビームサイズの幅方向にオーバーラップさせながらスキャン照射することにより、アモルファスシリコン薄膜を多結晶化して多結晶シリコン薄膜とすることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 B
, H01L 29/78 627 G
