特許
J-GLOBAL ID：200903046991981379
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
岡戸 昭佳
, 富澤 孝
, 山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-375098
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142243
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 高耐圧化と低オン抵抗化とを両立させ,簡便に作製することができる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置300は,N+ ソース領域31,N+ ドレイン領域11,P- ボディ領域41およびN- ドリフト領域12を備えている。また,半導体装置300の上面側の一部を掘り込むことで形成されたトレンチ21,25が設けられている。トレンチ21には,ゲート電極22が内蔵されている。トレンチ21とトレンチ25とはその深さが異なっている。そして,トレンチ21の下方にはPフローティング領域51が,トレンチ25の下方にはPフローティング領域54がそれぞれ設けられている。【選択図】 図14
請求項（抜粋）：
半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下面と接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通しその底部が前記ボディ領域の下面より下方に位置するトレンチ部とを有する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記ドリフト領域に囲まれるとともに第1導電型半導体であるフローティング領域を有し,
前記トレンチ部の底部は,前記フローティング領域内に位置し,
前記トレンチ部内には,
絶縁物を堆積してなる堆積絶縁層と,
前記堆積絶縁層上に位置し,前記ボディ領域と対面するゲート電極とが形成されており,
前記堆積絶縁層の上端は,前記フローティング領域の上端よりも上方に位置することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (1件)：
FI (5件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
出願人引用 (2件)
-
絶縁ゲート半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-331321
出願人：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-293966
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
