特許
J-GLOBAL ID:200903046993146922
半導体装置の製造方法、強誘電体素子の製造方法および電子機器の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-145892
公開番号(公開出願番号):特開2009-295678
出願日: 2008年06月03日
公開日(公表日): 2009年12月17日
要約:
【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板と、前記基板の上方に配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間に配置されチャネル部を構成する有機半導体膜と、前記チャネル部との間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板(2)の上方に絶縁性ポリマーを材料に含む液体材料(6a)を塗布する第1工程と、塗布された前記液体材料に対して送風を行いつつ加熱することにより前記ゲート絶縁膜を形成する第2工程と、を有する。かかる方法によれば、溶液プロセスにおいて簡易な方法で、ゲート絶縁膜の配向性を向上させることができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板と、前記基板の上方に配置されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極およびドレイン電極間に配置されチャネル部を構成する有機半導体層と、
前記チャネル部との間にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の上方に絶縁性ポリマーを材料に含む液体材料を塗布する第1工程と、
塗布された前記液体材料に対して送風を行いつつ加熱することにより前記ゲート絶縁膜を形成する第2工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件):
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 27/28
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/312
FI (11件):
H01L27/10 444A
, H01L27/10 444B
, H01L27/10 449
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 100B
, H01L29/28 390
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617V
, H01L29/78 617T
, H01L21/312 Z
, H01L21/312 A
Fターム (47件):
5F058AA10
, 5F058AB02
, 5F058AB06
, 5F058AB07
, 5F058AC10
, 5F058AD09
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F083FR02
, 5F083FR03
, 5F083FR05
, 5F083FZ07
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA42
, 5F110AA16
, 5F110BB06
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE02
, 5F110EE42
, 5F110FF01
, 5F110FF05
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110QQ06
引用特許:
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