特許

J-GLOBAL ID：200903047057287391

ダイヤモンド単結晶薄膜の製造方法

発明者： 小倉 政彦 ,  渡邊 幸志 ,  大串 秀世
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-312519
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085785
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 基板ホルダを改良し、高速で高品質ダイヤモンド単結晶薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用い、プラズマCVDによりダイヤモンド基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を形成する際に、炭素を構成元素とする基板ホルダにダイヤモンド基板を載せて、ダイヤモンド単結晶薄膜を形成することを特徴とするダイヤモンド単結晶薄膜の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用い、プラズマCVDによりダイヤモンド基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を形成する際に、炭素を構成元素とする基板ホルダにダイヤモンド基板を載せて、ダイヤモンド単結晶薄膜を形成することを特徴とするダイヤモンド単結晶薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (11件)：

5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF02 ,  5F045BB09 ,  5F045CA09 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3125046号
  

審査官引用 (4件)

• ダイヤモンド合成法およびその合成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236592   出願人：川崎製鉄株式会社
• 単結晶ダイヤモンドの製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-043325   出願人：住友電気工業株式会社
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-096817   出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 特表平7-506799