磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-524584
公開番号（公開出願番号）：特表2005-535115
出願日： 2003年07月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

磁気抵抗トンネル接合メモリセルは、磁気抵抗トンネル障壁(16)と、ビット磁性領域(15)と、基準磁性領域(17)と、印加磁界をビット磁性領域及び基準磁性領域に生じさせる電流ライン(20,30)とを備える。ビット磁性領域は、印加磁界が無いときにはビット磁化容易軸(59,1435)に沿った方向を向くビット磁気モーメント(43,40,1425,1625,1950,2315)を有する。トンネル障壁、及びビット磁性領域及び基準磁性領域が磁気抵抗トンネル接合素子(10,72,73,74,75,76)を形成する。幾つかの実施形態(73,74,75)では、基準磁性領域はビット磁化容易軸に平行ではない基準磁気モーメント(40,1430,1440,1920,1925)を有する。他の実施形態では(76)、基準磁性領域は、正味の基準磁気モーメントが基本的にゼロの渦磁場(2310)を有する。印加磁界によって基準磁性領域の磁化状態が変わるので、ビット磁性領域の磁化状態を磁気抵抗の測定により判断することができる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗トンネル接合メモリセルであって、磁気抵抗トンネル障壁を形成するように構成される電気絶縁材料と、前記電気絶縁材料の一方の側に配置され、印加磁界が無いときにはビット磁化容易軸に沿った方向を向くビット磁気モーメントを有するビット磁性領域と、前記電気絶縁材料の反対の側に配置された基準磁性領域であって、前記電気絶縁材料及び前記ビット磁性領域とともに磁気抵抗トンネル接合素子(MTJD)を形成する基準磁性領域と、印加磁界を前記ビット磁性領域及び前記基準磁性領域に生じさせる手段とを備え、前記基準磁性領域は、低アスペクト比を有し、かつ印加磁界がゼロの大きさを有する場合に前記ビット磁化容易軸にほぼ直交する基準磁気モーメントを有し、ゼロの大きさの印加磁界では前記MTJDが基準磁気抵抗を有し、前記ビット磁気モーメントの方向は、前記基準磁気モーメントの回転から生じる前記MTJDの磁気抵抗の変化の符号によって確実に示され、前記ビット磁気モーメントの方向は、印加磁界が非スイッチング磁界領域内の感度値を有する場合には切り替わらない、磁気抵抗トンネル接合メモリセル。

IPC (3件)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (4件)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , G11C11/15 140 , H01L43/08 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083LA21 , 5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁場応答が改良された磁気素子とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-317501 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
超高密度、不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-510871 出願人：アメリカ合衆国
磁気抵抗素子、磁性薄膜メモリ素子および該メモリ素子の記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-256965 出願人：キヤノン株式会社

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