特許
J-GLOBAL ID：200903095007545319
磁気抵抗効果メモリ、および、それに記録される情報の再生方法とその再生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281863
公開番号（公開出願番号）：特開2001-195878
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 正負の電流パルスを印加することなく再生可能なMRAMの提供、ならびに、正または負の電流パルスのみを用いて、このMRAMの情報を再生する方法とそれに用いる再生装置の提供。【解決手段】 基板上に形成される第1磁性層/非磁性層/第2磁性層からなる磁気抵抗膜と、この磁気抵抗膜近傍に配置された情報記録用の導体線あるいは情報の記録・再生兼用の導体線と、磁気抵抗膜の近傍に磁化固定層を有する磁気抵抗効果メモリ。この磁化固定層によって、磁気抵抗膜の磁性層の一つである再生層の磁化方向を一方向に配向させ、電流磁界-MR比マイナーループの中心を変移させ、正または負の電流パルスのみで、情報の再生を可能とする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成される再生層/非磁性層/メモリ層からなる磁気抵抗膜と、前記再生層の磁化方向を磁気的結合力によって一方向に配向させる磁化固定層を有することを特徴とする磁気抵抗効果メモリ。
IPC (5件)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
