特許

J-GLOBAL ID：200903047091765464

シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： 小林 徳弘 ,  秋山 昌次 ,  玉塚 正郎 ,  篠宮 勝
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251482
公開番号（公開出願番号）：特開2001-080992
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 p/p+エピタキシャルウエーハの代替として用いることのできるシリコンウエーハとその製造方法を提供する。【解決手段】 ボロンおよび窒素をドープしたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの表面から少なくとも0.2μmの深さまでの表層部におけるボロン濃度がバルク部のボロン濃度の1/2以下であり、前記表層部における大きさ0.09μm以上の欠陥密度が1.0×104個/cm3以下であり、かつ酸素析出熱処理後の前記バルク部における内部微小欠陥密度が1×108〜2×1010個/cm3であるシリコンウエーハ。およびチョクラルスキー法によってボロンおよび窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコンウエーハに加工した後、該シリコンウエーハに水素含有雰囲気で熱処理を加えてウエーハ表面のボロンを外方拡散させるシリコンウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

ボロンおよび窒素をドープしたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの表面から少なくとも0.2μmの深さまでの表層部におけるボロン濃度がバルク部のボロン濃度の1/2以下であり、前記表層部における大きさ0.09μm以上の欠陥密度が1.0×104個/cm3以下であり、かつ酸素析出熱処理後の前記バルク部における内部微小欠陥密度が1×108〜2×1010個/cm3であることを特徴とするシリコンウエーハ。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/04

FI (2件)：

C30B 29/06 A ,  C30B 15/04

Fターム (12件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EB03 ,  4G077EB04 ,  4G077ED06 ,  4G077FE05 ,  4G077FE20 ,  4G077GA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリコンウエーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-308612   出願人：東芝セラミックス株式会社
• シリコン単結晶の育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ並びにその窒素ドープ量の推定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-083882   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (2件)

• シリコンウエーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-308612   出願人：東芝セラミックス株式会社
• シリコン単結晶の育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ並びにその窒素ドープ量の推定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-083882   出願人：住友金属工業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• High performance silicon wafer with wide grown-in void free zone and high density internal gettering

審査官引用 (1件)

• High performance silicon wafer with wide grown-in void free zone and high density internal gettering