特許
J-GLOBAL ID：200903017133372976
シリコン単結晶の育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ並びにその窒素ドープ量の推定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272997
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：
【要約】【課題】簡易な製造工程で、ウェーハ全面にOSF領域を拡張し、Grown-in欠陥の発生を抑制できる。【解決手段】(1) CZ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。上記のシリコン単結晶は、最大引上げ速度の0.4倍〜0.8倍の引上げ速度で育成するのが望ましい。さらに、電気特性の改善を図るために、結晶内に含有される酸素濃度が9×1017atoms/cm3以下で育成するのが望ましい。このシリコン単結晶から作製されたシリコンウェーハは、酸素外方拡散処理を施すのが望ましい。(2) CZ法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、高温酸化処理を施した場合にその表面に103/cm2以上の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコンウェーハである。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する方法において、育成された単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, H01L 21/324
, H01L 21/66
C30B 29/06 502 K
, C30B 15/00 Z
, H01L 21/324 T
, H01L 21/324 X
, H01L 21/66 Q
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF00
, 4G077EB01
, 4G077EB04
, 4G077EB05
, 4G077EH04
, 4G077EH05
, 4G077EH09
, 4G077FB01
, 4G077FE01
, 4G077FE03
, 4G077HA12
, 4G077PA06
, 4M106AA01
, 4M106CB03
, 4M106CB19
, 4M106DB01
, 4M106DJ32
