特許
J-GLOBAL ID：200903047102112646
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047570
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251295
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 ステップカバレッジを悪化させることのない、良好なテーパー面及びテーパー部を有するコンタクトホールを形成する。【解決手段】 絶縁膜1上にその上部に向かうにしたがって開口径が広がるテーパー面7を有し、かつ上部角部にテーパー部9を有するコンタクトホール8を形成するもので、その製造方法は絶縁膜1上に開口部を有するホトレジスト膜3を形成し、該ホトレジスト膜3表面をフッ素を含有したガスを用いてプラズマ処理して表面がフッ化処理された改質膜4を形成すると共に絶縁膜1表面に凹部5を形成する。そして、前記ホトレジスト膜3をマスクとして前記絶縁膜1を異方性エッチングすることで、上部に向かうにしたがって開口径が広がるテーパー面を有し、かつ上部角部にテーパー部を有するコンタクトホールを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜上にコンタクトホールを形成して成る半導体装置において、前記コンタクトホールがその上部に向かうにしたがって開口径が広がるテーパー面を有し、かつ上部角部にテーパー部を有していることを特徴とした半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/302 M
, H01L 21/90 C
