特許
J-GLOBAL ID：200903047103390003
半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043696
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242143
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造において絶縁膜の比誘電率の低下を図る。【解決手段】 シリコン基板1にアルミ配線2を配置して、プラズマ酸化膜3を堆積する。その後、シランとメチルシランと過酸化水素水との混合ガスあるいはメチルシランと過酸化水素水との混合ガスを用いて、プラズマCVD法によりHMO膜4を堆積する。そのHMO膜4の上に、プラズマ酸化膜5を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜形成方法であって、炭化水素基と結合したシリコン原子を含むシラン系ガスと過酸化水素水の混合ガスまたは前記炭化水素基と結合したシリコン原子を含むシラン系ガスとシランと過酸化水素水の混合ガスを用いて化学気相成長法により絶縁膜を形成する、半導体装置の絶縁膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/768
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 B
, H01L 21/90 K
