スパッタリング装置、及びスパッタリング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-144017
公開番号（公開出願番号）：特開2003-342722
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：

【要約】【課題】光触媒活性の高い酸化チタン薄膜を成膜する。【解決手段】本発明のスパッタリング装置では、スパッタガスは円筒状のターゲット5の内部、又はターゲット間の隙間を流れるようになっており、反応ガスはターゲットよりも成膜対象物11に近い位置から、スパッタガスとは別々に放出されるようになっているので、反応ガスがターゲット5に向かって拡散したとしても、ターゲット5の内部を流れるスパッタガスに押し戻されるので、反応ガスがターゲット5の内壁表面と反応せず、放電安定性が高い。本発明によれば、スパッタ粒子25はアルゴンガスの流れに乗って成膜対象物11に運ばれ、運動エネルギーの低いスパッタ粒子25を成膜対象物11に到達させることができるので、スパッタ粒子25によって成膜対象物がダメージを受けないだけではなく、多孔質構造の薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

金属材料からなる円筒状のターゲットの開口と、成膜対象物とを対向配置し、前記ターゲットの内部にスパッタガスを流しながら、前記ターゲットの内壁をスパッタリングし、前記開口から、スパッタリングされた前記金属材料の粒子と、前記スパッタガスとを放出させ、成膜対象物に到達させるスパッタリング方法であって、前記金属材料と反応する反応ガスを、前記開口よりも前記成膜対象物に近い位置に放出し、前記金属材料と前記反応ガスとの反応物からなる薄膜を形成するスパッタリング方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , B01J 35/02 , B01J 37/02 301 , C01G 23/07

FI (4件)：

C23C 14/34 B , B01J 35/02 J , B01J 37/02 301 P , C01G 23/07

Fターム (28件)：

4G047CA02 , 4G047CB04 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G047CD07 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA04B , 4G069BA48A , 4G069CD10 , 4G069DA06 , 4G069EA08 , 4G069EC22Y , 4G069ED02 , 4G069ED04 , 4G069FA01 , 4G069FA03 , 4G069FA04 , 4G069FB01 , 4K029AA25 , 4K029BA48 , 4K029BC00 , 4K029CA06 , 4K029DA06 , 4K029DC03 , 4K029DC13 , 4K029DC32 , 4K029EA04

引用特許：

審査官引用 (5件)

反応性スパッタ装置及び皮膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-260528 出願人：キヤノン株式会社
熱絶縁層を備えた構造部品、特にガスタービンの羽根並びに熱絶縁層ぜの製造方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-515150 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
ガス流スパッタリングにより基板を被覆する方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-512229 出願人：フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエーファウ

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