特許
J-GLOBAL ID：200903047216655968
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209796
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055440
出願日： 1995年08月17日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】製造工程を簡略化できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】タングステン埋込電極により金属配線層と基板とを接続する構造を有する半導体装置において、近接する相互を接続する局所配線用接続孔をもタングステン埋込電極によって構成する。特にSRAMに有効。金属配線層と接続すべきプラグ接続孔と、近接する相互を接続する局所配線用接続孔とをそれぞれ開口する工程と、開口したそれぞれの接続孔内面を覆う金属又はその化合物からなる密着層を形成する工程と、密着層を形成した接続孔をタングステンで埋め込む工程とでかかる半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
タングステン埋込電極により金属配線層と基板とを接続する構造を有する半導体装置において、近接する相互を接続する局所配線用接続孔をもタングステン埋込電極によって構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
H01L 27/10 381
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/90 C
, H01L 21/90 D
