半導体デバイスの研磨装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344494
公開番号（公開出願番号）：特開2000-167763
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの表面研磨加工において平坦化を向上する。【解決手段】回転する定盤2の上面に貼り付けたポリシングパッド1を、定盤2側に設けられた弾性層3と半導体デバイス側に設けられた硬質樹脂層4とを積層して構成し、硬質樹脂層4の上面に、ポリシングパッドの外周に始点及び終点を有しかつポリシングパッドの回転中心近傍に折り返し点を有する曲線状をなすスラリーガイド溝7を設け、硬質樹脂層をABS樹脂材を含むビニル系コポリマー材にする。【効果】ポリシングパッドの表面を適度な硬さとぬれ性を有する硬質樹脂層にすると共に溝によりスラリーの分散性及び保持性を良くしたことから、特にセリア系スラリーによるポリシングにおいて従来のものに対して高い加工速度を達成しかつ表面粗さを小さくでき、半導体デバイスの表面の平坦化を向上し得る。

請求項（抜粋）：

回転する定盤上にポリシングパッドを貼り付け、前記定盤の上方にて前記定盤の回転中心から偏倚して回転するホルダにより半導体デバイスをその表面を前記ポリシングパッドに対峙させた状態に保持すると共に、スラリーを前記ポリシングパッド上に供給して前記半導体デバイスの表面を研磨するようにした半導体デバイスの研磨装置であって、前記ポリシングパッドが、前記定盤側に設けられた弾性層と、前記半導体デバイス側に設けられた硬質樹脂層とからなり、前記硬質樹脂層の表面に、前記スラリーを保持し得ると共に前記定盤及び前記ホルダの回転により前記半導体デバイスの表面の全面に前記スラリーが分散するようにガイドするスラリーガイド溝を設け、前記スラリーガイド溝が、前記ポリシングパッドの外周に始点及び終点を有しかつ前記ポリシングパッドの回転中心近傍に折り返し点を有する曲線状をなすことを特徴とする半導体デバイスの研磨装置。

IPC (2件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 622

FI (2件)：

B24B 37/00 C , H01L 21/304 622 F

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AB04 , 3C058AC04 , 3C058CA01 , 3C058CB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

CMP用研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-187380 出願人：株式会社ニコン
研磨装置及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-147390 出願人：株式会社日立製作所
研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-290187 出願人：株式会社東芝

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