特許

J-GLOBAL ID：200903047236553029

半導体素子

発明者： 西林 良樹 ,  富川 唯司 ,  鹿田 真一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216286
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209014
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤモンド半導体の特性を生かしつつ、良好なトランジスタ特性を有するMISFETタイプの半導体素子を提供する。【構成】 絶縁性ダイヤモンドの基板101上にp型半導体ダイヤモンドの層110を有し、且つ、このp型ダイヤモンド層110上にドレイン電極120aと、ソース電極120bと、ゲート電極130とを有するFET。上記ゲート電極130の下には、窒素原子等のn型ドーパントがドープされた介在領域140が設けられている。

請求項（抜粋）：

基板上にソース電極とドレイン電極とを有し、これらの電極の間のチャネル領域がp型ダイヤモンドを主成分とし、且つ、該チャネル領域とゲート電極との間に、少なくともn型ドーパントがドーピングされたダイヤモンドからなる介在領域が設けられていることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/804

FI (3件)：

H01L 29/80 C ,  H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/80 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180899   出願人：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンドFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180898   出願人：住友電気工業株式会社