特許

J-GLOBAL ID：200903047263932325

基板のプラズマ処理方法

発明者： 寒川 誠二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116268
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306894
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】反応性ガスの過度な解離を抑制して下地膜との選択性を劣化させない。【解決手段】プラズマガスを生成させる高周波電界をパルス変調すること、パルス変調には20μ秒以上のOFF時間を与えること、プラズマガスにより基板を処理することとからなり、更に、パルス変調には100μ秒以下のOFF時間を与えることとからなり、基板表面に対する選択性が向上する。プラズマガスとして、臭素を含むガスが用いられ、臭素を含むガスとして、臭素ガス、臭化水素ガス、臭素ガスと塩素の混合ガスが用いられる。OFF時間中に、基板に堆積膜を形成する。基板に5MHz以下の低周波バイアスを印加することが望ましい。

請求項（抜粋）：

プラズマガスを生成させる高周波電界をパルス変調すること、前記パルス変調には20μ秒以上のOFF時間を与えること、前記プラズマガスにより基板を処理することとからなる基板のプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A

Fターム (29件)：

4K057DA02 ,  4K057DA13 ,  4K057DB06 ,  4K057DD05 ,  4K057DE11 ,  4K057DE20 ,  4K057DM18 ,  4K057DM20 ,  4K057DM21 ,  4K057DM22 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-049732   出願人：富士通株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-024224   出願人：松下電子工業株式会社