特許

J-GLOBAL ID：200903047278344632

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 新谷 良智
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-146627
公開番号（公開出願番号）：特開2006-321681
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の結晶構造の炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。【解決手段】 1700〜1900°Cの雰囲気温度において、Siと、Cと、第3の元素もしくはその化合物を含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、この接触部の温度を前記融液の温度よりも低い温度にして前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、前記第3の元素を選択することにより15R、3C及び6Hのうち所望の結晶構造の炭化珪素単結晶を成長させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

1700〜1900°Cの雰囲気温度において、Siと、Cと、第3の元素もしくはその化合物を含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、この接触部の温度を前記融液の温度よりも低い温度にして前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記第3の元素を選択することにより15R、3C及び6Hのうち所望の結晶構造の炭化珪素単結晶を成長させることができることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CC04 ,  4G077CD04 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077CG07 ,  4G077MB33 ,  4G077MB35

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社