配線回路基板とその製造方法と半導体集積回路装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-230142
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043506
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】配線回路基板において、ベースを成す部分が薄くても充分な強度を持ちうるようにし、以て生産性の向上を図り、配線回路基板やその配線膜の薄型化を容易にし、更には、配線膜の微細化、高集積化を図る等。【解決手段】第1の金属からなり外部端子を成すバンプ28と第2の金属からなるエッチングストップ層21bを介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第2の金属とは別の金属である第3の金属からなる配線膜22を有し、この上に、これと接続される層間接続用のバンプ24を有する配線膜25を層間絶縁膜27を介して積層し、最表面の配線膜25上を、電子デバイス31の電極が接続される電極接続部を残し絶縁膜27で覆ってなる。

請求項（抜粋）：

第1の金属からなり外部端子を成すバンプと第2の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第2の金属とは別の金属である第3の金属からなる配線膜を有し、上記配線膜上に、これと接続される層間接続用のバンプを有する別の一層又は複数層の配線膜を層間絶縁膜を介して積層し、上記配線膜のうちの最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部を残し絶縁膜で覆ってなることを特徴とする配線回路基板。

IPC (12件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/60 311 , H01L 23/12 , H01L 23/12 501 , H05K 1/09 , H05K 1/11 , H05K 3/06 , H05K 3/24 , H05K 3/40 , H05K 3/46

FI (11件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 501 B , H05K 1/09 C , H05K 1/11 N , H05K 3/06 A , H05K 3/24 B , H05K 3/40 K , H05K 3/46 N , H05K 3/46 Q , H01L 25/08 Z , H01L 23/12 L

Fターム (79件)：

4E351AA01 , 4E351BB01 , 4E351BB23 , 4E351BB24 , 4E351BB30 , 4E351BB38 , 4E351DD04 , 4E351DD12 , 4E351DD19 , 4E351DD24 , 4E351DD54 , 4E351GG01 , 5E317AA24 , 5E317BB01 , 5E317BB11 , 5E317BB13 , 5E317BB18 , 5E317CC53 , 5E317CC60 , 5E317CD25 , 5E317CD34 , 5E317GG14 , 5E317GG16 , 5E339AD05 , 5E339BC01 , 5E339BD03 , 5E339BD06 , 5E339BD11 , 5E339BE11 , 5E343AA02 , 5E343AA12 , 5E343BB09 , 5E343BB17 , 5E343BB18 , 5E343BB22 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB34 , 5E343BB44 , 5E343BB48 , 5E343BB54 , 5E343BB61 , 5E343BB67 , 5E343DD75 , 5E343DD80 , 5E343GG08 , 5E343GG11 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA22 , 5E346AA32 , 5E346AA35 , 5E346AA43 , 5E346BB01 , 5E346BB16 , 5E346CC02 , 5E346CC08 , 5E346CC32 , 5E346CC37 , 5E346CC38 , 5E346CC40 , 5E346CC58 , 5E346DD02 , 5E346DD12 , 5E346DD32 , 5E346FF24 , 5E346FF45 , 5E346GG22 , 5E346GG25 , 5E346GG28 , 5E346GG40 , 5E346HH22 , 5E346HH24 , 5E346HH33 , 5F044KK02 , 5F044KK12 , 5F044KK13 , 5F044LL01 , 5F044RR18

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