半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保田千賀志 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023452
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222797
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】狭窄形状をなす低抵抗領域の形成が容易で、しかも再現性に優れ、かつ歩留りが極めて高い前記装置および方法を提供する。【構成】本発明の装置は、アニールにより抵抗率が変化する半導体層(クラッド層5,コンタクト層6)を含んで成るもので、該半導体層が、アクセプタ不純物の活性化率が高い低抵抗領域と、アクセプタ不純物の活性化率が低い高抵抗領域とから成り、前記活性化率の制御が、レーザ光8,8′を照射することによりなされることを特徴とする。また、本発明の方法は、アニールにより抵抗率が変化する半導体層(クラッド層5,コンタクト層6)の一部または全部の領域に、該半導体層に吸収される波長のレーザ光8,8′を照射し、該照射領域の抵抗率を変化させるステップを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

アニールにより抵抗率が変化する半導体層を含んで成る半導体装置であって、前記半導体層が、アクセプタ不純物の活性化率が高い低抵抗領域と、アクセプタ不純物の活性化率が低い高抵抗領域とから成り、前記活性化率の制御が、レーザ光を照射することによりなされる、ことを特徴とする前記半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒素-3族元素化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-164022 出願人：豊田合成株式会社, 日新電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-052448 出願人：株式会社東芝
特開平3-076129

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