特許
J-GLOBAL ID：200903047373302092
半導体光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029290
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229249
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 ハイブリッド成長法による性能劣化を克服した新規な半導体光素子の構造を提供することである。【解決手段】 本発明にもとづく半導体光素子は、CBEまたはMBE法によって形成されるクラッド層のBeドープ量を5×1017cm-3以下とするか、もしくはMOCVD法によって形成されるクラッド層のZnのドープ量を5×1017cm-3以下とする構造を有するものとする。
請求項（抜粋）：
活性層、および前記活性層上に積層され、かつBeが添加された第1の半導体層とを有するメサと、前記メサを埋め込む半導体層と、前記第1の半導体層の上に積層された第2の半導体層とを備えた半導体光素子において、前記第1の半導体に添加された前記Beの濃度は、5×1017cm-3以下であることを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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