フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-035783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-244274
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【解決手段】透光性基板上に少なくとも一層のクロム系遮光膜と少なくとも一層のクロム系反射防止膜とを有するフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜及び反射防止膜が酸素、窒素、炭素を含むクロム系膜から形成されており、かつ炭素の含有量を表面側から透光性基板に向かって段階的に又は連続的に低下させてなることを特徴とするフォトマスクブランク。【効果】本発明によれば、容易にエッチング速度を制御でき、垂直な断面形状を与えるフォトマスクブランクを得ることができ、かつ膜質が均一な高品質なフォトマスクブランクス及びフォトマスクが得られ、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に対応することができる。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に少なくとも一層のクロム系遮光膜と少なくとも一層のクロム系反射防止膜とを有するフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜及び反射防止膜が酸素、窒素、炭素を含むクロム系膜から形成されており、かつ炭素の含有量を表面側から透光性基板に向かって段階的に又は連続的に低下させてなることを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , C23C 14/06 , G03F 1/14 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 G , G03F 1/08 L , C23C 14/06 K , G03F 1/14 F , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P

Fターム (16件)：

2H095BB25 , 2H095BB31 , 2H095BC05 , 2H095BC08 , 2H095BC09 , 2H095BC14 , 4K029AA09 , 4K029BA34 , 4K029BA41 , 4K029BA43 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029EA05 , 4K029HA03

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-212843
特公昭62-037386
特開昭62-234163

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