特許

J-GLOBAL ID：200903047411011900

SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法

発明者： 西川 恒一 ,  前山 雄介 ,  福田 祐介 ,  清水 正章 ,  岩黒 弘明
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205751
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032457
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 n型SiCに対して良好なオーミック接触を得ることができるSiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の主面と該第1の主面に背向する第2の主面とを有するn+型SiC基板11と、第2の主面上に形成されたエピタキシャル層13と、エピタキシャル層13上に形成されると共に、エピタキシャル層13とオーミック接触した電極14とを有することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の主面と該第1の主面に背向する第2の主面とを有するn型SiC基板と、 前記第2の主面上に形成されたエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層上に形成されると共に、該エピタキシャル層とオーミック接触した電極とを有することを特徴とするSiC半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/74

FI (9件)：

H01L29/48 D ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/72 ,  H01L29/74 J

Fターム (28件)：

4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F003BH05 ,  5F003BH08 ,  5F003BH11 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F005AA03 ,  5F005AH02 ,  5F005GA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-271419   出願人：松下電器産業株式会社
• 炭化ケイ素ショットキーデバイスのためのエピタキシャルエッジ終端およびこれを含む炭化ケイ素デバイスの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-547239   出願人：クリーインコーポレイテッド
• SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226065   出願人：富士電機株式会社
• SiC半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-004177   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 炭化ケイ素ショットキーデバイスのためのエピタキシャルエッジ終端およびこれを含む炭化ケイ素デバイスの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-547239   出願人：クリーインコーポレイテッド