特許
J-GLOBAL ID：200903048891439944
炭化ケイ素ショットキーデバイスのためのエピタキシャルエッジ終端およびこれを含む炭化ケイ素デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-547239
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515080
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
炭化ケイ素ショットキー整流器のためのエッジ終端は、ショットキー整流器の電圧ブロッキング層(14)上にあって炭化ケイ素ショットキー整流器のショットキーコンタクト(18)に隣接する炭化ケイ素エピタキシャル領域(16)を含むことによって、提供される。炭化ケイ素エピタキシャル層(16)は、ブロッキング層(14)の表面ドーピングに基づく炭化ケイ素エピタキシャル領域内の電荷を与える厚みおよびドーピングレベルを有していてもよい。炭化ケイ素エピタキシャル領域(16)は、ショットキーコンタクト(18)とともに非オーミックコンタクトを形成してもよい。炭化ケイ素エピタキシャル領域(16)は、ブロッキング層(14)の厚みの約1.5倍から約5倍の厚みを有していてもよい。このようなエッジ終端を有するショットキー整流器、ならびに、このようなエッジ終端およびこのような整流器の製造方法も提供される。
請求項（抜粋）：
所定の表面ドーピングレベルを有する炭化ケイ素電圧ブロッキング層と、
前記炭化ケイ素電圧ブロッキング層上のショットキーコンタクトと、
前記炭化ケイ素電圧ブロッキング層上にあって前記ショットキーコンタクトに隣接する炭化ケイ素エピタキシャル終端領域と、を備え、
前記炭化ケイ素エピタキシャル領域は、前記ブロッキング層の前記表面ドーピングに対して所定の関係を有する前記炭化ケイ素エピタキシャル領域内の所定の電荷を与える厚みおよびドーピングレベルを有していることを特徴とする炭化ケイ素ショットキー整流器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 D
, C04B35/56 101Y
4G001BA22
, 4G001BB22
, 4G001BC72
, 4G001BD21
, 4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104CC03
, 4M104DD80
, 4M104FF01
, 4M104FF06
, 4M104FF13
, 4M104FF26
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH20
