SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-271419
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086816
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 SiC基板裏面とオーミック電極との間の接触抵抗を低減する手段を講じ、電力損失の小さい大容量のSiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiCバルク基板11の裏面に、基板のキャリア濃度以上のドーパントイオン13を多段階に注入して注入層12を形成する。その後、CVD炉内で基板を加熱して、SiCバルク基板11上にSiCのエピタキシャル成長層14を形成する。同時に、基板裏面に注入されたドーパントイオンが活性化され、不純物ドープ層15が形成される。基板の裏面側に不純物ドープ層15を形成することにより、基板裏面にオーミック電極を取る場合に接触抵抗が低下し、電力損失が少なく大容量のSiC半導体素子を製造することができる。

請求項（抜粋）：

SiCバルク基板と、上記SiCバルク基板の主面に対向する面側に設けられ、不純物を上記SiCバルク基板の内部領域とは異なる濃度で含むSiCからなる不純物ドープ層とを有するSiC基板。

IPC (8件)：

H01L 29/872 , C23C 14/48 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , H01L 21/336 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653

FI (9件)：

C23C 14/48 Z , H01L 21/205 , H01L 21/265 602 A , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/48 D , H01L 21/265 Z , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 E

Fターム (30件)：

4K029AA04 , 4K029BD01 , 4K029CA10 , 4K029GA01 , 4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104FF02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH15 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE29 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CB10 , 5F045DA52 , 5F045DA57 , 5F045EK02 , 5F045GB12 , 5F045HA05 , 5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

炭化ケイ素金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-500936 出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
イオン注入により導入された不純物原子を有する半導体構成要素及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-510314 出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-072365 出願人：株式会社デンソー

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