ワン・チップ集積センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：湯浅恭三 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233853
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097439
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【課題】最小数の処理工程で済むように同じ基板(18)上にミクロ機械要素(54)と集積回路デバイス(12)とを同時に形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン基板(18)に形成されたキャビティ(22)上に担持されるブリッジ、片持ちビーム、懸架質量(60)、隔膜または容量性要素の如き小型のミクロ機械要素を用いる加速度計(110)および圧力センサ(54)の如き検出デバイスを形成することができる。ミクロ機械要素(54、60)の変位を検出するために用いられるピエゾ抵抗(14)が、集積回路デバイス(12)の諸要素と同時に形成されて、その結果最小数の処理工程で済むようにする。

請求項（抜粋）：

単一の基板上の集積回路デバイスと同時に形成されるミクロ機械加工された検出構造を含むワン・チップ集積センサを形成する方法において、前記基板(18)の第1の面上にn-タイプのエピタキシャル・シリコン層(16)を形成するステップと、前記エピタキシャル・シリコン層上に第1のフィールド酸化層(24)を、前記第1の面と反対側の基板の第2の面上に第2のフィールド酸化層(38)を成長させるステップと、前記集積回路デバイスの少なくとも1つの素子(30)と、前記ミクロ機械加工検出構造に対するピエゾ抵抗(14)とを同時に形成するように、前記エピタキシャル・シリコン層にP+領域を形成するステップと、前記集積回路デバイスの第2の素子(32)を形成するように、前記エピタキシャル・シリコン層にN+領域を形成するステップと、前記第1のフィールド酸化層上のミクロ機械加工検出構造と集積回路デバイスに対する接点と導体(40)を形成するステップと、前記キャビティ(22)がミクロ機械加工検出構造を仕切るように、前記第2のフィールド酸化層(38)を介して前記基板の前記第2の面にキャビティ(22)を形成するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101 , G01P 15/125

引用特許：

審査官引用 (7件)

シリコンダイアフラム圧力センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-143420 出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
特開昭60-230028
特開昭62-061374

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