結晶ペロブスカイト強誘電体セルのアニールおよび改良された障壁特性を示すセル

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：谷義一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-503207
公開番号（公開出願番号）：特表2001-504282
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】不揮発性集積回路メモリでメモリセルとして使える強誘電体キャパシタを、好ましくは金属間化合物障壁層を含むシリコン基板(22)の上に集積して作製する方法。メモリセルは、結晶配向して成長し強誘電体の結晶成長に対して成長のテンプレートを提供するコバルト酸ランタンストロンチウム(LSCO)などの金属酸化物電極(52および46)に挟まれた、チタン酸鉛ニオブジルコニウム(PNZT)などの強誘電体層(50)から構成される。金属間化合物層(44)は、下部LSCO電極(46)から下へ、下側のシリコン(40)に向かう酸素の拡散を防ぐ。少なくとも下部電極(46)にはその成長温度を上回る温度で急速熱アニールを実施する。それによって、強誘電体セルの分極および疲労特性が改善される。さらに、類似の金属間化合物層を強誘電体セルの上に置いてもよい。金属間化合物層の好ましい組成は、耐熱性シリサイド、特に耐熱性ジシリサイドである。

請求項（抜粋）：

金属酸化物層を基板上に第1の温度で堆積させる第1の堆積ステップと、次いで、前記基板を前記第1の温度より高い第2の温度でアニールするステップと、ペロブスカイト材料を含むペロブスカイト層を前記金属酸化物層の上に堆積させる第2の堆積ステップとを含むことを特徴とするペロブスカイトセルの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (4件)

強誘電体容量素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235330 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
マイクロ電子構造体とその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196766 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011429 出願人：株式会社東芝

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