特許
J-GLOBAL ID：200903067413030890
薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011429
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139480
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流が少なく高誘電率の薄膜キャパシタを提供し、かつこの小面積で大容量の薄膜キャパシタ部を有する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト組成を有する誘電体膜を挟み込んだ薄膜キャパシタにおいて、このキャパシタの電極材料にABO3 で表されるペロブスカイト組成の電気伝導性酸化物を用いる。ここでAサイト構成元素はアルカリ土類金属、希土類金属のうちから選ばれた少なく共2種、Bサイト構成元素は遷移金属から選ばれた少なくとも1種である。ABO3 の各構成元素の種類やその組成を選択することにより界面のバリアーハイトや格子整合等を最適化することができる。
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト組成を有する誘電体膜を第1および第2の電極で挟んだ構造からなるキャパシタであって、該第1および第2の電極の少なくとも一方は以下の式で示されるペロブスカイト組成の電気伝導性酸化物のグループのうちから選択したいずれかからなる薄膜であることを特徴とする薄膜キャパシタ。(イ)A1 B1 O3 [式中、A1 はアルカリ土類金属、希土類金属のうちから選ばれた少なくとも2種の元素からなる化合物、B1 はFe,Mn,Cr,TiおよびRuのうちから選ばれた少なくとも1種の元素を表わす](ロ)A2 CoO3 [式中、A2 はアルカリ土類金属のうちから選ばれた少なくとも1種の元素およびNd,Sm,Pr,およびEuのうちから選ばれた少なくとも1種からなる化合物を表わす](ハ)A3 NiO3 [式中、A3 は希土類金属のうちから選ばれた少なくとも1種の元素を表わす](ニ)A4 RuO3 [式中、A4 はアルカリ土類金属のうちから選ばれた少なくとも2種の元素からなる化合物を表わす](ホ)WReO3-δ[式中、δは酸素の欠乏している割合を表わす]
IPC (6件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C30B 29/22
, H01G 4/33
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, C30B 29/22 Z
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 625 A
, H01L 27/10 625 C
, H01L 27/10 671 C
