半導体集積回路の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149392
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340131
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】高精度で位置合わせ可能でCMPなどの研磨工程が行われた場合にも適用可能な電子ビーム露光方法の実現。【解決手段】半導体集積回路の少なくとも一部の回路パターンを電子ビーム露光法を使用して形成する半導体集積回路の製造方法であって、少なくとも一部の回路パターンが形成される薄膜26,29 よりも質量密度の大きい材料で電子ビーム用位置検出マーク24を形成する工程102 と、少なくとも一部の回路パターンが形成される薄膜26,29 を電子ビーム用位置検出マーク24の上に形成し、電子ビーム用位置検出マークを電子ビームで走査して反射電子信号を観測することにより電子ビーム用位置検出マークの位置を検出する工程104 と、検出した電子ビーム用位置検出マークの位置に対して位置決めして薄膜に回路パターンを電子ビーム露光する工程105 とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の少なくとも一部の回路パターンを電子ビーム露光法を使用して形成する半導体集積回路の製造方法であって、前記少なくとも一部の回路パターンが形成される薄膜よりも質量密度の大きい材料で電子ビーム用位置検出マークを形成する工程と、前記少なくとも一部の回路パターンが形成される薄膜を前記電子ビーム用位置検出マークの上に形成し、前記電子ビーム用位置検出マークを電子ビームで走査して反射電子信号を観測することにより前記電子ビーム用位置検出マークの位置を検出する工程と、検出した前記電子ビーム用位置検出マークの位置に対して位置決めして前記薄膜に前記回路パターンを電子ビーム露光する工程とを備えることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00

FI (4件)：

H01L 21/30 541 K , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 A , H01L 21/30 541 S

引用特許：

審査官引用 (13件)

電子ビーム描画方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-352721 出願人：三菱電機株式会社
特開昭61-054621
特開平2-231708

全件表示

前のページに戻る