表面加工方法、表面加工装置及び機能素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210129
公開番号（公開出願番号）：特開2000-045083
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】被加工物の表面に与える物理的なダメージを低減した上で、微細な凹凸からなる粗表面加工が可能となる表面加工方法を実現する。【解決手段】被加工物1を反応容器2内に設置し、反応容器2内を真空引きし、反応容器2内に反応ガス容器7から雰囲気ガス9を導入し、この雰囲気ガス9を密封又は循環させる。次に、加工電極3、4に対して高周波電源5より高周波電力の供給を行ってプラズマが発生させ、自己バイアス効果により、プラズマ中に存在する反応ガス中の荷電粒子を被加工物1の表面に衝突させ、また、ラジカルと被加工物1表面との化学反応により、被加工物1表面に物理化学的な表面加工を行う。その後、被加工物1を別の反応容器内に設置し、ここで、プラズマ中に存在するラジカルを被加工物1表面と化学反応させる化学的な表面加工を行う。

請求項（抜粋）：

第1の反応容器内において、不活性ガス、又は、少なくとも1種類の反応ガス、又は、不活性ガスと少なくとも1種類の反応ガスのいずれかで構成された雰囲気ガス中に、被加工物を電極と対向して設置し、該電極に高周波電圧を印加することによって、該第1の反応容器内に該雰囲気ガスに基づくプラズマを発生し、該プラズマ中の荷電粒子を該被加工物表面に衝突させることにより表面加工を行う第1の加工工程と、第2の反応容器内において、不活性ガス及び少なくとも1種類の反応ガスで構成された雰囲気ガス中に、該第1の加工工程によって表面加工を施された該被加工物を電極と対向して設置し、該電極に高周波電圧を印加することによって、該第2の反応容器内に該雰囲気ガスに基づくプラズマを発生し、該プラズマ中の反応ガスに基づく中性ラジカルを該被加工物の表面原子又は分子と化学反応させることにより表面加工を行う第2の加工工程とを包含する表面加工方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 , G03F 7/09 501 , H01L 21/3065

FI (3件)：

C23F 4/00 A , G03F 7/09 501 , H01L 21/302 N

Fターム (38件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AB20 , 2H025FA41 , 2H025FA47 , 4K057DA05 , 4K057DB06 , 4K057DC10 , 4K057DD01 , 4K057DD02 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DK03 , 4K057DM05 , 4K057DM16 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 4K057DN02 , 5F004AA05 , 5F004BA04 , 5F004BA09 , 5F004BB19 , 5F004BB21 , 5F004BC03 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004DA06 , 5F004DA07 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EA01 , 5F004EA08 , 5F004EB04

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭61-224326
特開平4-176121
ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-156444 出願人：シャープ株式会社

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審査官引用 (6件)

特開昭61-224326
特開平4-176121
ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-156444 出願人：シャープ株式会社

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