特許
J-GLOBAL ID：200903047523910738
ナノ構造の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131083
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335817
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】形状が制御されたナノ構造を基板表面上に容易に作製することのできるナノ構造の作製方法を提供する。【解決手段】Si基板(2)表面上の所定位置を蒸着物質Ni(3)で覆うことで、あらかじめSi基板(2)上を蒸着物質に覆われた蒸着部(4)とSi基板(2)が剥き出しの非蒸着部(5)とに区分し、Si基板(2)を真空中または不活性ガス中において加熱処理することにより、蒸着物質Ni(3)をSi基板(2)上の蒸着部(4)から非蒸着部(5)に対して拡散させてSi基板(2)上にナノ構造を作製する方法において、加熱処理の際に加熱温度を制御することでナノ構造の形状を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板表面上の所定位置を蒸着物質で覆うことで、あらかじめ基板表面上を蒸着物質に覆われた蒸着部と基板が剥き出しの非蒸着部とに区分し、基板を真空中または不活性ガス中において加熱処理することにより、蒸着物質を蒸着部から非蒸着部に対して拡散させて基板表面上にナノ構造を作製する方法において、
加熱処理の際に加熱温度を制御することでナノ構造の形状を制御することを特徴とするナノ構造の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/06 601N
, B82B3/00
