位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿仁屋節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324347
公開番号（公開出願番号）：特開平6-175346
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】位相シフト部の輪郭を仕切る境界面をほぼ基板表面に対して垂直に形成できるようにした位相シフトマスクの製造方法及びその製造方法に用いる位相シフトマスクブランクを提供する。【構成】透明基板1上に位相シフト部を形成するための位相シフト膜20を含む膜を形成する成膜工程に、位相シフト膜20の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜40を形成する補助膜形成工程を設けたことにより、パターン形成工程後に形成された位相シフト部の輪郭を仕切る境界面をほぼ透明基板1の表面に対して垂直に形成できるようにした。

請求項（抜粋）：

透明基板上に、転写パターンが形成され、かつ、該パターン中には該パターンを通過する光の一部の位相をシフトさせる位相シフト部が設けられた位相シフトマスクを製造する位相シフトマスクの製造法において、前記透明基板上に前記位相シフト部を形成するための位相シフト膜を含む膜を形成する成膜工程と、少なくとも前記位相シフト膜にエッチング処理を含むパターン化処理を行なうパターン形成工程とを有し、前記成膜工程には、前記位相シフト膜の上に他の膜を介して又は介さずに前記パターン形成工程における位相シフト膜のパターン化処理におけるエッチング処理に対して耐性を有する補助膜を形成する補助膜形成工程を備えたことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-009932
特開平2-164019
特開平4-073651

全件表示

前のページに戻る