特許

J-GLOBAL ID：200903047578104498

半導体装置及びその製造方法

発明者： 牛山 雅弘 ,  大路 譲 ,  田地 新一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166056
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013372
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜形成以降のプロセス条件の変動に対しても安定な特性が維持でき、高電界ストレスによる劣化現象を防止した絶縁膜を有する半導体装置を提供すること。【構成】ゲート酸化膜4又は層間絶縁膜6等の絶縁膜中に、Si、酸素及び水素以外の他の元素が2種類以上含有され、他の元素の濃度の和が5×1018〜5×1021cm~3の範囲にある半導体装置。他の元素は、例えば、窒素、フッ素及び塩素の内の少なくとも2種の元素を用いる。

請求項（抜粋）：

基板に設けられた半導体素子を有する半導体装置において、所望の絶縁膜中に、Si、酸素及び水素以外の他の元素が2種類以上含有され、該他の元素の濃度の和が5×1018〜5×1021cm~3の範囲にあることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012270   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-268730
  
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235202   出願人：沖電気工業株式会社