特許

J-GLOBAL ID：200903047580480014

半導体発光素子および半導体発光装置

発明者： 和田 敏則
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308446
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】発振状態に影響を与えるレーザ光の戻り光を低減してノイズを抑制した半導体発光素子および半導体発光装置を提供する。【解決手段】レーザ光を出射する半導体発光素子であって、少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層の積層体を含む半導体積層体10と、第1クラッド層側の半導体積層体10の表面に形成された第1電極20と、第2クラッド層側の半導体積層体10の表面に形成された第2電極21とを有し、第1電極20は、少なくともレーザ光の戻り光Lbが当たる部分Sを除く領域の半導体積層体10の表面に形成されている構成とする。

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射する半導体発光素子であって、少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層の積層体を含む半導体積層体と、前記第1クラッド層側の前記半導体積層体の表面に形成された第1電極と、前記第2クラッド層側の前記半導体積層体の表面に形成された第2電極とを有し、前記第1電極は、少なくとも前記レーザ光の戻り光が当たる部分を除く領域の前記半導体積層体の表面に形成されている半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/042 610 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/40

FI (3件)：

H01S 5/042 610 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/40

Fターム (14件)：

5F073AA04 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA14 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073EA06 ,  5F073EA07 ,  5F073EA27 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073FA30 ,  5F073GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181791   出願人：日亜化学工業株式会社
• 分布帰還型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-288094   出願人：富士通株式会社
• 光集積素子、及び、その光集積素子における信号検出方法、並びに、光学式情報読み取り装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-133484   出願人：ソニー株式会社