窒化物半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181791
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027939
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【目的】劈開により窒化物半導体層の共振面を形成して、電極の剥がれのない信頼性の高いレーザ素子を提供する。【構成】ストライプ状の正電極と、その正電極の位置に対応した窒化物半導体層に、ストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記導波路の共振面は基板の劈開により形成されており、劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にあることにより、劈開時のブレークによる衝撃が電極端面に伝わらないため電極の剥がれがなくなる。

請求項（抜粋）：

ストライプ状の正電極と、その正電極の位置に対応した窒化物半導体層に、ストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記導波路の共振面は基板の劈開により形成されており、劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にあることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-243681 出願人：株式会社日立製作所
特開昭50-079287
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-253784 出願人：三洋電機株式会社

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