特許

J-GLOBAL ID：200903047583936388

インダクタ素子とその製法およびそれを用いたモノリシックマイクロ波集積回路素子

発明者： 森 光廣 ,  宮▲崎▼ 勝 ,  谷本 琢磨 ,  小田 浩人 ,  立山 孝一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-313635
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172161
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、モノリシックマイクロ波IC用の小型かつ低損失なインダクタ素子を提供することにある。【構成】半絶縁性半導体基板10、層間絶縁膜11、第1および第2の配線金属層12、13が図1に示すごとく配設されており、第2の配線金属層13は比誘電率の低い厚い樹脂絶縁膜17により、半絶縁性半導体基板10から離れて形成されている。【効果】広い帯域にわたってインダクタンスが一定で、低損失のインダクタ素子を作製できる。また、本発明のインダクタ素子を用いたモノリシックマイクロ波ICの高利得化、低消費電力化、広域化がはかられる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板上に樹脂絶縁膜を形成し、該樹脂絶縁膜上にインダクタ素子用配線金属層を配置してなることを特徴とするインダクタ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 膜インダクタンス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-322198   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-353627   出願人：株式会社東芝
• 整合回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-093039   出願人：三洋電機株式会社
• モノリシックマイクロ波IC
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162421   出願人：富士通株式会社