特許
J-GLOBAL ID：200903047594697261

SiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法

発明者：
末光 眞希

末光 眞希 について

, 
中澤 日出樹

中澤 日出樹 について


出願人/特許権者：
東北大学長

東北大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025523
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234799
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 SiC膜を形成する部材を高温加熱することなく、結晶性及び平坦性に優れたSiC膜を製造する方法を提供することを目的するとともに、この方法を利用してSiC下地膜を形成する工程を含む、SiC多層膜構造を提供する。【解決手段】 Siを含んだ部材の主面上にSi-H結合とSi-C結合とを有する有機珪素ガスを供給し、前記部材の前記主面上にSiC膜を形成する。また、Siを含んだ部材の主面上にSi-H結合とSi-C結合とを有する有機珪素ガスを供給し、前記部材の前記主面上にSiC下地膜を形成し、このSiC下地膜上に所定のSiC膜を形成することにより、SiC多層膜構造を作製する。
請求項（抜粋）：
Siを含んだ部材の主面上にSi-H結合とSi-C結合とを有する有機珪素ガスを供給し、前記部材の前記主面上にSiC膜を形成することを特徴とする、SiC膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  C01B 31/36 601 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B 29/36 A ,  C01B 31/36 601 B ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205
Fターム (43件)：
4G046MA14 ,  4G046MB03 ,  4G046MB10 ,  4G046MC02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB09 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030BB03 ,  4K030BB13 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE11 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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