半導体製造用チャンバ構成部材

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-045456
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244312
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】耐プラズマ性に優れ、熱伝導性に優れる半導体製造用チャンバ構成部材を提供する。【解決手段】AlNを主成分とするセラミックマトリックス中に、結晶質の希土類元素含有化合物が、10〜60体積%の比率で分散してなる熱伝導率20W/mK以上のセラミックスからなり、前記希土類元素含有化合物が、希土類元素-アルミナ複合酸化物、希土類元素酸化物と前記マトリックス成分との結晶質化合物の群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とし、前記希土類元素-アルミナ複合酸化物がガーネット型結晶、ペロブスカイト型結晶及びメリライト型結晶の群から選ばれる少なくとも1種、希土類元素酸化物と前記マトリックス成分との結晶質化合物が希土類元素-アルミニウム複合酸窒化物であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

AlNを主成分とするセラミックマトリックス中に、結晶質の希土類元素含有化合物が、10〜60体積%の比率で分散してなる熱伝導率20W/mK以上のセラミックスからなり、前記希土類元素含有化合物が、希土類元素-アルミナ複合酸化物、希土類元素酸化物と前記マトリックス成分との結晶質化合物の群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする半導体製造用チャンバ構成部材。

IPC (4件)：

C04B35/581 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/68

FI (4件)：

C04B35/58 104B , H01L21/205 , H01L21/68 N , H01L21/302 101G

Fターム (38件)：

4G001BA03 , 4G001BA04 , 4G001BA08 , 4G001BA09 , 4G001BA11 , 4G001BA36 , 4G001BA73 , 4G001BB01 , 4G001BB08 , 4G001BB36 , 4G001BB51 , 4G001BC17 , 4G001BC24 , 4G001BC34 , 4G001BC43 , 4G001BC52 , 4G001BC54 , 4G001BD03 , 4G001BD37 , 4G001BD38 , 4G001BE01 , 4G001BE33 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F031HA01 , 5F031HA02 , 5F031HA23 , 5F045AA08 , 5F045BB15 , 5F045EB03 , 5F045EH08 , 5F045EM09

引用特許：

出願人引用 (3件)

特公平5-53872号公報
特開平3-217016号公報
高密度フッ化アルミニウム焼結体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248698 出願人：東芝セラミックス株式会社

審査官引用 (1件)

セラミック抵抗体およびそれを用いた静電チャック
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-215844 出願人：京セラ株式会社

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