特許
J-GLOBAL ID：200903047601546673

磁気インピ-ダンス効果素子

発明者：
内藤 豊

内藤 豊 について

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佐々木 義人

佐々木 義人 について

, 
畑内 隆史

畑内 隆史 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162295
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 小型化・省電力化を図った磁気インピーダンス効果素子を用いた磁気インピーダンス効果素子を提供する。【解決手段】 磁気インピーダンス効果を有する磁性薄膜層2にColTamHfn、FehRiOj(Co1-vTv)xMyOzXw、CoaZrbNbc、T100-d-e-f-gXdMeZfQg、T100-p-q-f-gSipAlqMeZfQg等の組成を有する軟磁性材料を用い、磁性薄膜層2の両端部あるいは上層に、磁性薄膜層2に対して印加される外部磁界Hexが印加される方向と平行にバイアス磁界Hbiを印加する、バイアス磁界印加手段となる薄膜からなる磁石層4、4あるいは反強磁性薄膜層5を設ける。
請求項（抜粋）：
磁気インピーダンス効果を有する磁性薄膜層と、該磁性薄膜層に対して印加される外部磁界が印加される方向と平行にバイアス磁界を印加する薄膜からなるバイアス磁界印加手段とを備えてなることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。
IPC (2件)：
G01R 33/02 ,  H01L 43/00
FI (2件)：
G01R 33/02 D ,  H01L 43/00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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