半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275974
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094033
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】異常電圧から半導体素子を保護する機能を有し、かつ、チップコストの増大を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】支持基板1と活性層基板3が絶縁膜2により電気的に分離された、いわゆるSOI型の半導体基板の前記活性層基板内に、互いに電気的に絶縁分離された複数の素子、または複数の素子からなる回路ブロックが形成される半導体装置であって、前記活性層基板3と前記絶縁膜2との界面近傍で前記活性層基板内にP型層20が存在し、該P型層はP型の深い拡散層21を通じて前記活性層基板の第一主面側で接地される半導体装置。ノイズ電流を表面側に逃がすことができるので、半導体装置が十分安全に動作できるという効果が得られる。また、従来のような高濃度の埋め込み層の構造が不要になるので、製造工程が容易になってコストを低減することが出来る。

請求項（抜粋）：

支持基板と活性層基板が絶縁膜により電気的に分離された、いわゆるSOI型の半導体基板の前記活性層基板内に、互いに電気的に絶縁分離された複数の素子、または複数の素子からなる回路ブロックが形成される半導体装置であって、前記活性層基板と前記絶縁膜との界面近傍で前記活性層基板内にP型層が存在し、該P型層はP型の深い拡散層を通じて前記活性層基板の第一主面側で接地される部分を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/762 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8249 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (9件)：

H01L 27/12 C , H01L 21/02 B , H01L 27/08 331 E , H01L 21/76 D , H01L 27/04 H , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 321 C , H01L 29/78 621 , H01L 29/78 623 A

Fターム (54件)：

5F032AA09 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA47 , 5F032AA54 , 5F032BA01 , 5F032BA02 , 5F032BA05 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032DA71 , 5F038AZ10 , 5F038BH10 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038BH19 , 5F038CA03 , 5F038CA05 , 5F038CA09 , 5F038CD04 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA04 , 5F048AC06 , 5F048AC07 , 5F048BA09 , 5F048BA16 , 5F048BC07 , 5F048BE09 , 5F048BG05 , 5F048BG07 , 5F048BG14 , 5F048CC11 , 5F048CC13 , 5F082AA24 , 5F082AA33 , 5F082AA36 , 5F082BA06 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082EA03 , 5F110AA22 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HM12 , 5F110NN62 , 5F110NN63 , 5F110NN65 , 5F110QQ17

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平1-103851
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-165003 出願人：株式会社ユニシアジェックス, 日産自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-165002 出願人：株式会社ユニシアジェックス, 日産自動車株式会社

審査官引用 (3件)

特開平1-103851
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-165003 出願人：株式会社ユニシアジェックス, 日産自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-165002 出願人：株式会社ユニシアジェックス, 日産自動車株式会社

前のページに戻る