特許
J-GLOBAL ID：200903047644238689
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-326106
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162814
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】露光の際に光反射防止膜を用いる工程を含む半導体装置の製造方法に関し、窒化シリコンよりなる反射防止膜を除去する工程において、半導体基板内で不純物拡散の拡張を防止し、サイドウォールの後退を抑制すること。【解決手段】半導体基板11の上方に第一の膜15を成長する工程と、希釈ガスを含む反応ガスを反応雰囲気中に導入し、反応雰囲気中でプラズマ化学気相成長法によって窒化シリコン又は窒化酸化シリコンよりなる反射防止用膜16を第一の膜15の上に成長する工程と、前記反射防止膜16上にレジスト17を塗布し、露光、現像を経てレジスト17をパターニングする工程と、前記レジスト17に覆われない領域の第一の膜15をエッチングしてパターニングする工程と、第一の膜15のパターニング後に反射防止膜16をフッ酸によって除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に第一の膜を形成する工程と、希釈ガスを含む反応ガスを反応雰囲気中に導入し、該反応雰囲気中でプラズマ化学気相成長法によって窒化シリコン又は窒化酸化シリコンよりなる反射防止膜を前記第一の膜の上に成長する工程と、前記反射防止膜上に直接又は第二の膜を介してレジストを塗布し、露光、現像を経てレジストをパターニングする工程と、前記レジストに覆われない領域の前記第一の膜をエッチングしてパターニングする工程と、前記第一の膜のパターニング後に前記反射防止膜をフッ酸によって除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/027
, H01L 21/318
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/30 574
, H01L 21/318 B
, H01L 27/10 621 A
, H01L 27/10 671 Z
, H01L 29/78 301 P
