半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048269
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326608
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】遠紫外線リソグラフィにおける良好な反射防止効果とドライエッチング特性とを両立させる。【構成】反射防止膜6をSi組成比の相対的に低いSiOx 膜からなる下層側反射防止膜6L と相対的に高いSiOx 膜からなる上層側反射防止膜6U により構成する。レジスト・パターン7を形成した後、上層側反射防止膜6U をSi用のエッチング条件、下層側反射防止膜6L をSiOx 用のエッチング条件で各々エッチングする。かかる膜厚方向のSi組成比の変動は、CVD成膜条件の制御またはSi+ のイオン注入により付与する。【効果】上層側反射防止膜6U の方が下層側反射防止膜6L より屈折率が高く、定在波抑制効果が向上する。両膜6U ,6L は各々最適な条件でエッチングされるので、異方性形状が得られる。反射防止膜6の元素組成は全体的には単一なので、成膜も容易である。

請求項（抜粋）：

膜厚方向に沿って構成元素の組成比を変動させた反射防止膜を基板上に成膜する工程と、前記反射防止膜上にレジスト・パターンを形成する工程と、前記レジスト・パターンをマスクとし、前記組成比の変動に応じて最適なエッチング条件を選択しながら前記反射防止膜のドライエッチングを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , G02B 1/11 , G03F 7/11 503 , G03F 7/36 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 N , G02B 1/10 A , H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-252031
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267381 出願人：シャープ株式会社
特開平4-035081

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