特許
J-GLOBAL ID：200903047663597487
半導体チップの実装方法及び半導体デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-098373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307416
出願日： 1994年05月12日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 シールド効果を維持しつつ簡単にパッケージの薄層化を実現する半導体チップの実装方法及び半導体デバイスを提供することである。【構成】 表面に電極パターンが形成された基板とその基板の周端部に立設された側壁とから成るシールド性の外囲器を用意し、前記電極パターンに半導体チップの電極を直接接続し、前記外囲器の基板上に前記半導体チップを被包するように低誘電率の絶縁性樹脂を形成し、その絶縁性樹脂の全表面上に導電性樹脂を形成した。
請求項（抜粋）：
表面に電極パターンが形成された基板とその基板の周端部に立設された側壁とから成るシールド性の外囲器を用意し、前記電極パターンに半導体チップの電極を直接接続し、前記外囲器の基板上に前記半導体チップを被包するように低誘電率の絶縁性樹脂を形成し、前記絶縁性樹脂の全表面上に導電性樹脂を形成したことを特徴とする半導体チップの実装方法。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
, H01L 23/28
