COB化メモリモジュール及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293059
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153846
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】コストダウン、小型化、及び薄型化する。【構成】ガラエポ基板1上にダム枠2が接合されている。ダム枠2の短手方向の中央部は突起して保持部7a,7bを形成している。ダム枠2内のガラエポ基板1上にはメモリチップ3a〜3eがその長手方向とガラエポ基板1の長手方向と垂直な方向に搭載されている。メモリチップ3a〜3eはボンディングワイヤ4によってガラエポ基板1上の配線パターンに接続されている。メモリチップ3a〜3eは保護のためにエポキシ樹脂5で気密封止されている。エポキシ樹脂5はα線によるビットエラーの発生及びチップの光電効果による誤動作を防ぐために放射性同位元素含有率0.1ppb以下の黒色樹脂を使用している。ガラエポ基板1の端部には、ノイズマージン向上のために複数個のティカップリングコンデンサ8が半田付けによって実装されている。

請求項（抜粋）：

複数のI/O端子と配線パターンとを有する基板と、前記基板上の所定の部位に搭載されたベアなメモリチップと、前記ベアなメモリチップのパッドと前記配線パターンとを接続するボンディングワイヤと、前記ベアなメモリチップを封止する封止樹脂とを、備えたことを特徴とするCOB化メモリモジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/04 , H01L 25/18

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平3-211763
混成集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-184839 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-217458 出願人：シチズン時計株式会社

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審査官引用 (14件)

特開平3-211763
混成集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-184839 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-217458 出願人：シチズン時計株式会社

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