特許
J-GLOBAL ID：200903047672096504
半導体素子及び発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 英俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274908
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106456
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 従来よりも寿命の長い半導体素子を提供する。【解決手段】 発光ダイオード1からなる半導体素子は、1以上のPN接合を形成するように積層された半導体結晶層2〜7を有する。アノード電極層8は、表面にボンディング領域8aを有し裏面にP形の半導体結晶層と接触した接触領域を有する。アノード電極層8の裏面と半導体結晶7との間に、ボンディング領域8a以上の大きさを有し且つボンディング領域8aと対向する酸化膜層9を形成する。酸化膜層9を2000オングストローム以上のSiO2 の膜によって形成する。
請求項（抜粋）：
表面にボンディング領域を有し裏面に半導体結晶と接触した接触領域を有するボンディング用電極を備えた半導体素子であって、前記ボンディング用電極の前記裏面と前記半導体結晶との間に、前記ボンディング領域と対向するように酸化膜層が形成されていることを特徴とする半導体素子。
Fターム (5件)：
5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA36
, 5F041CB11
